Ultrafast carrier diffusion in gallium arsenide probed with picosecond acoustic pulses

Wright, O. B.; Perrin, B.; Matsuda, O. et al.

PHYSICAL REVIEW B, 2001, 64, 081202(R)

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/5797

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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/5797
タイトル	Ultrafast carrier diffusion in gallium arsenide probed with picosecond acoustic pulses
著者	Wright, O. B. ; Perrin, B. ; Matsuda, O. ; Gusev, V. E.
e-Rad_Researcher 90281790 著者名 Wright, O. B. ライト, オリバーバーナード
著者名 Perrin, B.
e-Rad_Researcher 30239024 著者名 Matsuda, O.
著者名 Gusev, V. E.
言語	英語
発行日	2001
出版者	American Physical Society
収録物名	PHYSICAL REVIEW B
巻(号)	64
ページ	081202(R)
抄録	We describe an experimental investigation of the generation and detection of picosecond acoustic-phonon pulses in a thin slab of GaAs using ultrashort optical pulses. Comparison of the optical phase variation with a simple theory for ambipolar diffusion indicates that carrier diffusion has a significant effect on the shape of the phonon pulses generated. The phonon pulse duration is measured to be ;25 ps, four times longer than that expected from optical-absorption considerations alone, indicating that hot carriers penetrate more than 100 nm into the sample during the phonon pulse generation process.
資源タイプ	学術雑誌論文
出版タイプ	Version of Record
権利情報	Copyright © 2001 American Physical Society
PISSN	0163-1829
関連情報	URI http://www.aps.org/
関連情報 (isIdenticalTo)	出版社版DOI https://doi.org/10.1103/PhysRevB.64.081202