Site-selective silicon adatom desorption using femtosecond laser pulse pairs and scanning tunneling microscopy

Futaba, D. N.; Morita, R.; Yamashita, M. et al.

APPLIED PHYSICS LETTERS, 2003, 83(12), 2333-2335

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/5874

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APL83-12	pdf	404 KB	1,153

アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/5874
タイトル	Site-selective silicon adatom desorption using femtosecond laser pulse pairs and scanning tunneling microscopy
著者	Futaba, D. N. ; Morita, R. ; Yamashita, M. ; Tomiyama, S. ; Shigekawa, H.
著者名 Futaba, D. N.
e-Rad_Researcher 30222350 著者名 Morita, R.
e-Rad_Researcher 10240631 著者名 Yamashita, M. 山下, 幹雄
著者名 Tomiyama, S.
著者名 Shigekawa, H.
言語	英語
発行日	2003-09-22
出版者	American Institute of Physics
収録物名	APPLIED PHYSICS LETTERS
巻(号)	83(12)
ページ	2333-2335
抄録	We performed an experimental study of silicon adatom desorption from the Si(111)-737 surface using femtosecond laser pulse pair excitation with 80 fs pulse duration, 800 nm center wavelength, 300 mW average power, and a 100 MHz repetition rate. Using scanning tunneling microscopy, we directly recorded the desorption characteristics at each delay setting for each of the four adatom binding sites. The study revealed a preferential dependence between the delay time and the adatom sites within a 66.6–1000 fs delay range.
資源タイプ	学術雑誌論文
出版タイプ	Version of Record
権利情報	Copyright © 2003 American Institute of Physics
PISSN	0003-6951
関連情報	URI http://www.aip.org/
関連情報 (isIdenticalTo)	出版社版DOI https://doi.org/10.1063/1.1613361