Metal-insulator transition in La1-xSrxTiO3 and Y1-xCaxTiO3 investigated by specific-heat measurements

Kumagai, K.; Suzuki, T.; Taguchi, Y. et al.

PHYSICAL REVIEW B, 1993, 48(10), 7636-7642

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/5893

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/5893
タイトル	Metal-insulator transition in La1-xSrxTiO3 and Y1-xCaxTiO3 investigated by specific-heat measurements
著者	Kumagai, K. ; Suzuki, T. ; Taguchi, Y. ; Okada, Y. ; Fujishima, Y. ; Tokura, Y.
e-Rad_Researcher 70029560 著者名 Kumagai, K. 熊谷, 健一
著者名 Suzuki, T.
著者名 Taguchi, Y.
著者名 Okada, Y.
著者名 Fujishima, Y.
著者名 Tokura, Y.
言語	英語
発行日	1993-09
出版者	American Physical Society
収録物名	PHYSICAL REVIEW B
巻(号)	48(10)
ページ	7636-7642
抄録	The carrier-doping (or band-filling) dependence of electronic states has been investigated in the perovskitelike titanate compounds, La1-xSrxTiO3 and Y1-xCaxTiO3, by measurements of the specific heat. The linear temperature coefficient of the electronic specific heat, γ, is enhanced significantly near the metal-insulator phase-transition boundary, indicating a divergent increase of the effective electron mass due to the strong electronic correlation on approaching the metal-insulator transition boundary. The result is argued in comparison with that of the high-Tc cuprates.
資源タイプ	学術雑誌論文
出版タイプ	Version of Record
権利情報	Copyright © 1993 American Physical Society
PISSN	0163-1829
関連情報	URI http://www.aps.org/
関連情報 (isIdenticalTo)	出版社版DOI https://doi.org/10.1103/PhysRevB.48.7636