Hydrogenated amorphous carbon films deposited by low-frequency plasma chemical vapor deposition at room temperature

Shimozuma, M.; Tochitani, G.; Ohno, H. et al.

Journal of Applied Physics, 1989, 66(1), 447-449

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/6057

このアイテムのアクセス数:1,910件（2026-02-09 01:51 集計）

ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
JAP66-1	pdf	1.63 MB	2,044

アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/6057
タイトル	Hydrogenated amorphous carbon films deposited by low-frequency plasma chemical vapor deposition at room temperature
著者	Shimozuma, M. ; Tochitani, G. ; Ohno, H. ; Tagashira, H. ; Nakahara, J.
e-Rad_Researcher 70041960 著者名 Shimozuma, M. 下妻, 光夫
著者名 Tochitani, G.
著者名 Ohno, H.
著者名 Tagashira, H.
著者名 Nakahara, J.
言語	英語
発行日	1989-07-01
出版者	American Institute of Physics
収録物名	Journal of Applied Physics
巻(号)	66(1)
ページ	447-449
記述	http://search.epnet.com/login.aspx?direct=true&db=afh&an=7648244
抄録	Provides information on hydrogenated amorphous carbon films prepared at room temperature by low frequency plasma chemical vapor deposition using methane and hydrogen. Measurement of resistivity and breakdown electric field after deposition; Infrared absorption spectrum of the grown film for the carbon-hydrogen stretching mode region; Raman spectroscopy using argon laser excitation.
資源タイプ	学術雑誌論文
出版タイプ	Version of Record
権利情報	Copyright © 1989 American Institute of Physics
PISSN	0021-8979
関連情報	URI http://www.aip.org/