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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
JAP52-2	pdf	2.29 MB	1,429

論文情報

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/6127
タイトル	Interfacial electron transfer as a significant step in photoelectrochemical reactions on some semiconductors
著者	Bockris, J. O'M. ; Uosaki, K. ; Kita, H.
著者名 Bockris, J. O'M.
e-Rad_Researcher 20133697 著者名 Uosaki, K. 魚崎, 浩平
著者名 Kita, H.
言語	英語
発行日	1981-02
出版者	American Institute of Physics
収録物名	Journal of Applied Physics
巻(号)	52(2)
ページ	808-810
抄録	Photoelectrochemical kinetics at the semiconductor-solution interface has been considered in all treatments in the literature, except one, to be rate controlled by processes inside the semiconductor. Evidence is presented which suggest that, at least for cathodic reactions on p-CdTe, the rate determining step is interfacial electron transfer, and a part of the total potential difference at the interface exists in the Helmholtz layer. Journal of Applied Physics is copyrighted by The American Institute of Physics.
資源タイプ	学術雑誌論文
出版タイプ	Version of Record
権利情報	Copyright © 1981 American Institute of Physics
PISSN	0021-8979
関連情報	URI http://www.aip.org/
関連情報 (isIdenticalTo)	出版社版DOI https://doi.org/10.1063/1.328847

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