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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
Takafumi_Uchida_abstract	pdf	10.7 KB	304	論文内容の要旨
Takafumi_Uchida_review	pdf	11.8 KB	466	審査の要旨

論文情報

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/65486
タイトル	パターン依存酸化法と再酸化で作製したシリコンマルチ結合量子ドットに関する研究 [論文内容及び審査の要旨]
	Silicon multiple-coupled-quantum dots fabricated by pattern-dependent oxidation and additional oxidation[an abstract of dissertation and a summary of dissertation review]
著者	著者名 内田, 貴史
言語	日本語
発行日	2017-03-23
出版者	Hokkaido University
学位授与機関	識別子 10101 機関名 北海道大学 Hokkaido University
学位授与番号	甲第12626号
学位名	博士(工学)
学位の審査委員	(主査) 教授 葛西 誠也, 教授 富田 章久, 准教授 有田 正志
学位審査の研究科等	情報科学研究科（情報エレクトロニクス専攻）
資源タイプ	博士論文
出版タイプ	Version of Record
権利情報	Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 2.1 Japan
関連情報 (references)	HDL https://hdl.handle.net/2115/65485

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