Surface-related operation instabilities of GaN HEMTs and their control using Al2O3-based MOS structures [an abstract of dissertation and a summary of dissertation review]

西口, 賢弥

2018

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/70526

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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
Kenya_Nishiguchi_abstract	pdf	21.0 KB	561	論文内容の要旨
Kenya_Nishiguchi_review	pdf	19.1 KB	484	審査の要旨

アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/70526
タイトル	Surface-related operation instabilities of GaN HEMTs and their control using Al2O3-based MOS structures [an abstract of dissertation and a summary of dissertation review]
タイトル	GaN HEMTにおける表面起因の動作不安定性とAl2O3 MOS構造による制御 [論文内容及び審査の要旨]
著者	著者名西口, 賢弥
言語	日本語
発行日	2018-03-22
出版者	Hokkaido University
学位授与機関	識別子 10101 機関名北海道大学 Hokkaido University
学位授与番号	甲第13083号
学位名	博士(工学)
学位の審査委員	(主査) 教授本久順一, 教授葛西誠也, 特任教授佐野栄一, 教授橋詰保
学位審査の研究科等	情報科学研究科（情報エレクトロニクス専攻）
資源タイプ	博士論文
出版タイプ	Version of Record
権利情報	Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International
関連情報 (references)	HDL https://hdl.handle.net/2115/70528