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jacg33.4.195	pdf	271 KB	228

論文情報

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/73396
タイトル	浮遊帯溶融法によるNd添加バナデイト単結晶の育成と吸収帯および発光帯の広域化
	Float zone growth and broadening of the absorption and emission bands of Nd-doped vanadate single crystals
著者	中原, 崇博 ; 樋口, 幹雄 ; 高橋, 順一 ; 小川, 貴代 ; 和田, 智之
著者名 中原, 崇博 Nakahara, Takahiro
e-Rad_Researcher 40198990 著者名 樋口, 幹雄 Higuchi, Mikio
著者名 高橋, 順一 Takahashi, Junichi
著者名 小川, 貴代 Ogawa, Takayo
著者名 和田, 智之 Wada, Satoshi
言語	日本語
キーワード	FD法
	結晶
発行日	2006-11-01
出版者	日本結晶成長学会
収録物名	日本結晶成長学会誌
	Journal of the Japanese Association for Crystal Growth
巻(号)	33(4)
ページ	195
記述	01pA05
抄録	Nd:PrVO_4 and Nd:La_xGd_<1-x>VO_4 single crystals were grown by the floating zone method in order to broaden the absorption and emission bands of Nd^<3+>. Nd:La_xGd_<1-x>VO_4 (X≦0.15) and Nd:PrVO_4 single crystals had no macroscopic defects, whereas cellular structures were found in a Nd:La_<0.2>Gd_<0.8>VO_4 crystal. The absorption band of Nd:PrVO_4 around 808nm was broader than that of Nd:GdVO_4, and intensive absorption peaks were not observed around 1.06μm and 1.3μm.
資源タイプ	会議発表論文
出版タイプ	Version of Record
権利情報	著作権は日本結晶成長学会にある。
PISSN	0385-6275
EISSN	2187-8366
NCID	AN00188386
関連情報 (isIdenticalTo)	出版社版DOI https://doi.org/10.19009/jjacg.33.3_195

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