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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
Masaharu_Shimabayashi_abstract	pdf	17.8 KB	449	論文内容の要旨
Masaharu_Shimabayashi_review	pdf	11.9 KB	374	審査の要旨

論文情報

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/74172
タイトル	窒素プラズマを用いた4H-SiC表面の窒化に関する研究 [論文内容及び審査の要旨]
	Studies on surface nitriding of 4H-SiC using nitrogen plasmas [an abstract of dissertation and a summary of dissertation review]
著者	著者名 嶋林, 正晴
言語	日本語
発行日	2019-03-25
出版者	Hokkaido University
学位授与機関	識別子 10101 機関名 北海道大学 Hokkaido University
学位授与番号	甲第13650号
学位名	博士(工学)
学位の審査委員	(主査) 教授 佐々木 浩一, 特任教授 越崎 直人, 教授 富岡 智, 教授 朝倉 清高
学位審査の研究科等	工学院（量子理工学専攻）
資源タイプ	博士論文
出版タイプ	Version of Record
権利情報	Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International
関連情報 (references)	HDL https://hdl.handle.net/2115/74173

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