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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
materia 45(12) 906	pdf	1.14 MB	326

論文情報

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/75576
タイトル	アルミニウム誘起結晶化法による多結晶シリコン形成過程のその場加熱観察
	In-situ Heating Observation of Formation Process of Polycrystalline Si Using Aluminum Induced Crystallization
著者	池田, 賢一 ; 中島, 英治 ; 廣田, 健 ; 藤本, 健資 ; 杉本, 陽平 ; 高田, 尚記 ; 井, 誠一郎 ; 中島, 寛
e-Rad_Researcher 20335996 著者名 池田, 賢一 Ikeda, Ken-ichi
著者名 中島, 英治 Nakashima, Hideharu
著者名 廣田, 健 Hirota, Takeshi
著者名 藤本, 健資 Fujimoto, Kensuke
著者名 杉本, 陽平 Sugimoto, Youhei
著者名 高田, 尚記 Takata, Naoki
著者名 井, 誠一郎 Ii, Seiichiro
著者名 中島, 寛 Nakashima, Hiroshi
言語	日本語
キーワード	In-situ heating observation
	aluminum induced crystallization
	polycrystalline silicon
発行日	2006-12-20
出版者	日本金属学会
収録物名	まてりあ
	Materia Japan
巻(号)	45(12)
ページ	906-906
抄録	多結晶シリコン(Si)薄膜を低温で作製するプロセスの一つとしてアルミニウムAAl)誘起結晶化(Aluminum Induced Crystallization: AIC)法が注目されている。AIC法では、Fig.1に示すように基板にAl膜→アモルファスシリコン(a-Si)膜の順に蒸着した後に、600℃以下で熱処理を施すことで、Al膜とa-Si膜が完全に入れ替わり、a-Siの結晶化により多結晶Si薄膜(c-Si)が形成される。熱処理後に入れ替わったAl膜をエッチングにより除去すれば基板上に多結晶Si薄膜を大面積で作製することができ、次世代のデバイス材料への応用が期待される。これまで、a-Si/Al多層膜において、その場加熱TEM観察により結晶化に関する報告がなされているが、a-Si/Al二層膜での結晶化機構は明らかにされていないのが現状である。そこで本研究では、AIC法による多結晶Siの形成過程を明らかにするために、TEM内その場加熱観察を行った。
資源タイプ	学術雑誌論文
出版タイプ	Version of Record
PISSN	1340-2625
EISSN	1884-5843
NCID	AN10433227
関連情報 (isIdenticalTo)	出版社版DOI https://doi.org/10.2320/materia.45.906

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