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materia 44(12) 971	pdf	1.16 MB	302

論文情報

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/75580
タイトル	次世代ひずみSi-SGOIウエーハの微細組織観察
	Microstructural Observation of Next-Generation Strained Si-SGOI Wafer
著者	水口, 隆 ; 井, 誠一郎 ; 中島, 寛 ; 池田, 賢一 ; 中島, 英治 ; 二宮, 正晴 ; 中前, 正彦
著者名 水口, 隆 Mizuguchi, Takashi
著者名 井, 誠一郎 Ii, Seiichiro
著者名 中島, 寛 Nakashima, Hiroshi
著者名 池田, 賢一 Ikeda, Ken-ichi
著者名 中島, 英治 Nakashima, Hideharu
著者名 二宮, 正晴 Ninomiya, Masaharu
著者名 中前, 正彦 Nakamae, Masahiko
言語	日本語
キーワード	strained silicon
	dislocation
	hetero interface
	transmission electron microscopy
	high resolution transmission electron microscopy
発行日	2005-12-20
出版者	日本金属学会
収録物名	まてりあ
	Materia Japan
巻(号)	44(12)
ページ	971-971
抄録	微細化に替わる新しい半導体デバイス高性能化の手法として、Si-Ge固溶体(SiGe)上にSiを完全整合状態で積層することによりSiのバンド構造を制御して電子の高速移動を可能にするひずみシリコン技術が注目されている。しかし、SiとSiGeの格子定数差によって発生する応力を緩和するために導入される転位が電子の高速移動の障害となっており、転位密度の低減が必要である。一方、半導体デバイスの省電力化のためにはリーク電流の低減化が必要であり、SiO2とその上部に成長させた薄膜との界面は原子レベルで平坦であることが望まれている。本研究では、Fig.1に示す構造をもつウエーハについて転位構造とヘテロ界面構造を明らかにすることを目的として、透過型電子顕微鏡による平面と断面観察を行った。
資源タイプ	学術雑誌論文
出版タイプ	Version of Record
PISSN	1340-2625
EISSN	1884-5843
NCID	AN10433227
関連情報 (isIdenticalTo)	出版社版DOI https://doi.org/10.2320/materia.44.971

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