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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
Satoshi_Muto_abstract	pdf	145 KB	222	論文内容の要旨
Satoshi_Muto_review	pdf	147 KB	320	審査の要旨

論文情報

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/81402
タイトル	動的電子顕微鏡観察法による抵抗変化メモリの動作特性とナノ構造変化に関する研究 [論文内容及び審査の要旨]
	Study on operation property and nano-structural evolution of resistive random access memory by means of in situ electron microscopy [an abstract of dissertation and a summary of dissertation review]
著者	著者名 武藤, 恵
言語	日本語
発行日	2021-03-25
出版者	Hokkaido University
学位授与機関	識別子 10101 機関名 北海道大学 Hokkaido University
学位授与番号	甲第14590号
学位名	博士(工学)
学位の審査委員	(主査) 教授 末岡 和久, 教授 植村 哲也, 教授 村山 明宏, 准教授 有田 正志
学位審査の研究科等	情報科学研究科(情報エレクトロニクス専攻)
資源タイプ	博士論文
出版タイプ	Version of Record
権利情報	Creative Commons Attribution 4.0 International
関連情報 (references)	HDL https://hdl.handle.net/2115/81405

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