閲覧可能ファイル 

ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
sugawara-jjap-2004	pdf	198 KB	1,547

論文情報

ファイル出力 EndNote Basic出力 Mendeley出力

アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/832
タイトル	Effect of near-threshold ionization on electron attachment in gaseous dielectrics
著者	Sugawara, Hirotake ; Ishigaki, Takuya ; Hirochi, Yuuki ; Sakai, Yosuke
e-Rad_Researcher 90241356 著者名 Sugawara, Hirotake 菅原, 広剛
著者名 Ishigaki, Takuya
著者名 Hirochi, Yuuki
著者名 Sakai, Yosuke
言語	英語
キーワード	gaseous dielectric
	electron attachment
	ionization
	threshold
	electron avalanche
	sulfur hexafluoride
発行日	2004-11-10
出版者	The Institute of Pure and Applied Physics
	物理系学術誌刊行協会出版
収録物名	Japanese Journal of Applied Physics
巻(号)	43(11A)
ページ	7705-7706
抄録	It has been predicted that near-threshold ionization (NTI) in a gaseous dielectric inhibits the development of electron avalanche when the gaseous dielectric has a sufficient capability for low-energy electron attachment. The NTI leaves little energy for the primary and secondary electrons involved in the ionization; thus, both electrons can be captured by dielectric gas molecules without further ionization. A computational estimation indicates that this process can occur in SF6.
資源タイプ	学術雑誌論文
出版タイプ	Accepted Manuscript
PISSN	00214922
関連情報 (isVersionOf)	出版社版DOI https://doi.org/10.1143/JJAP.43.7705

ホームへ戻る