Study on Atomic Layer Deposition (ALD) of Dielectric Films Using Novel Liquid Homoleptic Precursors for Advanced CMOS Devices [an abstract of dissertation and a summary of dissertation review]

西田, 章浩

2024

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/92345

このアイテムのアクセス数:287件（2026-01-13 05:39 集計）

ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
NISHIDA_Akihiro_abstract	pdf	309 KB	216	論文内容の要旨
NISHIDA_Akihiro_review	pdf	86.7 KB	220	審査の要旨

アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/92345
タイトル	Study on Atomic Layer Deposition (ALD) of Dielectric Films Using Novel Liquid Homoleptic Precursors for Advanced CMOS Devices [an abstract of dissertation and a summary of dissertation review]
タイトル	次世代のCMOSデバイス向けの新規な液体ホモレプティック前駆体を用いた原子層堆積法による高誘電膜に関する研究 [論文内容及び審査の要旨]
著者	著者名西田, 章浩
言語	日本語
発行日	2024-03-25
出版者	Hokkaido University
学位授与機関	識別子 10101 機関名北海道大学 Hokkaido University
学位授与番号	甲第15868号
学位名	博士(理学)
学位の審査委員	(主査) 教授上野貢生, 教授村越敬, 教授島田敏宏, 教授松井雅樹, 教授松尾保孝
学位審査の研究科等	総合化学院（総合化学専攻）
資源タイプ	博士論文
出版タイプ	Version of Record
権利情報	Creative Commons Attribution 4.0 International
関連情報 (references)	HDL https://hdl.handle.net/2115/94474