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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
Takahiro_Yamaguchi_abstract	pdf	113 KB	18	論文内容の要旨 https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Takahiro_Yamaguchi_review	pdf	80.9 KB	12	審査の要旨 https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/

論文情報

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アクセス権	embargoed access
DOI	https://doi.org/10.14943/doctoral.k16845
URI	https://hdl.handle.net/2115/99690
タイトル	水素終端ダイヤモンドMOSFETの過酷環境耐性と実用的回路への応用に関する研究
著者	著者名 山口, 卓宏
言語	日本語
発行日	2026-03-25
利用可能日	2026-12-31
出版者	Hokkaido University
記述	この博士論文の全文は利用可能日以降に公開されます。
学位授与機関	識別子 10101 機関名 北海道大学 Hokkaido University
学位授与年月日	2026-03-25
学位授与番号	甲第16845号
学位名	博士(工学)
学位の審査委員	(主査) 准教授 金子 純一, 教授 加美山 隆, 教授 柴山 環樹
学位審査の研究科等	工学院（量子理工学専攻）
資源タイプ	博士論文
出版タイプ	Version of Record

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