Fabrication and Characterization of InGaAs/InAlAs Insulated Gate Pseudomorphic HENTs Having a Silicon Interface Control Layer

XIE, Yong-Gui; KASAI, Seiya; TAKAHASHI, Hiroshi et al.

IEICE Transactions on Electronics, 2001, E84-C(10), 1335-1343

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/14551

このアイテムのアクセス数:1,489件（2026-01-15 07:43 集計）

閲覧可能ファイル 

ファイル フォーマット サイズ 閲覧回数 説明
IEICE_E84C(10)_1335-1343 pdf 1.38 MB 2,231

論文情報

ファイル出力 EndNote Basic出力 Mendeley出力

アクセス権
open access
URI
https://hdl.handle.net/2115/14551
タイトル
Fabrication and Characterization of InGaAs/InAlAs Insulated Gate Pseudomorphic HENTs Having a Silicon Interface Control Layer
著者
XIE, Yong-Gui ; KASAI, Seiya ; TAKAHASHI, Hiroshi ; JIANG, Chao ; HASEGAWA, Hideki
著者名
XIE, Yong-Gui
e-Rad_Researcher
30312383
著者名
KASAI, Seiya
著者名
TAKAHASHI, Hiroshi
著者名
JIANG, Chao
著者名
HASEGAWA, Hideki
言語
英語
キーワード
insulated gate
PHEMT
InGaAs
interface control
Fermi level pinning
発行日
2001-10
出版者
IEICE
収録物名
IEICE Transactions on Electronics
巻(号)
E84-C(10)
ページ
1335-1343
抄録
A novel InGaAs/InAlAs insulated gate (IG) pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) having a silicon interface control layer (Si ICL) is successfully fabricated and characterized. Systematic efforts to characterize and optimize the insulated gate structure and the PHEMT fabrication process were made by using in-situ X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and capacitance-voltage (C-V) techniques. This led to successful fabrication of a novel IG-PHEMT showing excellent stable DC characteristics with a good pinch off and a high transconductance (177 mS/mm), very small gate leakage currents, very high gate breakdown voltages (about 40 V) and respectable RF characteristics fT = 9 GHz and fmax=38 GHz.
資源タイプ
学術雑誌論文
出版タイプ
Version of Record
権利情報
Copyright (c) 2001 IEICE (許諾番号 : 06RB0100)
PISSN
0916-8516
関連情報
URI
http://search.ieice.org/