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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
PRB72-07	pdf	547 KB	1,481

論文情報

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/29745
タイトル	Metal-induced gap states in epitaxial organic-insulator/metal interfaces
著者	Kiguchi, Manabu ; Arita, Ryotaro ; Yoshikawa, Genki ; Tanida, Yoshiaki ; Ikeda, Susumu ; Entani, Shiro ; Nakai, Ikuyo ; Kondoh, Hiroshi ; Ohta, Toshiaki ; Saiki, Koichiro ; Aoki, Hideo
著者名 Kiguchi, Manabu
著者名 Arita, Ryotaro
著者名 Yoshikawa, Genki
著者名 Tanida, Yoshiaki
著者名 Ikeda, Susumu
著者名 Entani, Shiro
著者名 Nakai, Ikuyo
著者名 Kondoh, Hiroshi
著者名 Ohta, Toshiaki
著者名 Saiki, Koichiro
著者名 Aoki, Hideo
言語	英語
発行日	2005-08
出版者	American Physical Society
収録物名	Physical Review B
巻(号)	72(7)
ページ	075446
抄録	We have shown, both experimentally and theoretically, that the metal-induced gap states (MIGS) can exist in epitaxially grown organic insulator/metal interfaces. The experiment is done for alkane/Cu(001) with an element-selective near edge x-ray absorption fine structure (NEXAFS), which exhibits a prepeak indicative of MIGS. An ab initio electronic structure calculation supports the existence of the MIGS. When the Cu substrate is replaced with Ni, an interface magnetism may be possible with a carrier doping.
資源タイプ	学術雑誌論文
出版タイプ	Version of Record
権利情報	Copyright © 2005 American Physical Society
PISSN	0163-1829
EISSN	1095-3795
関連情報	URI http://www.aps.org/
関連情報 (isIdenticalTo)	出版社版DOI https://doi.org/10.1103/PhysRevB.72.075446

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