Al2O3 Insulated-Gate Structure for AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors Having Thin AlGaN Barrier Layers

Hashizume, Tamotsu; Anantathanasarn, Sanguan; Negoro, Noboru et al.

Japanese Journal of Applied Physics. Pt. 2, Letters & express letters, 2004, 43(6B), L777-L779

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/33074

このアイテムのアクセス数:1,722件（2026-08-18 08:49 集計）

閲覧可能ファイル 

ファイル フォーマット サイズ 閲覧回数 説明
JJAP-hashizume pdf 62.9 KB 3,245

論文情報

ファイル出力 EndNote Basic出力 Mendeley出力

アクセス権
open access
URI
https://hdl.handle.net/2115/33074
タイトル
Al2O3 Insulated-Gate Structure for AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors Having Thin AlGaN Barrier Layers
著者
Hashizume, Tamotsu ; Anantathanasarn, Sanguan ; Negoro, Noboru ; Sano, Eiichi ; Hasegawa, Hideki ; Kumakura, Kazuhide ; Makimoto, Toshiki
e-Rad_Researcher
80149898
著者名
Hashizume, Tamotsu
著者名
Anantathanasarn, Sanguan
著者名
Negoro, Noboru
e-Rad_Researcher
10333650
著者名
Sano, Eiichi
著者名
Hasegawa, Hideki
著者名
Kumakura, Kazuhide
著者名
Makimoto, Toshiki
言語
英語
キーワード
AlGaN
GaN
Al2O3
HFET
normally-off
insulated gate
発行日
2004-06-15
出版者
Japan Society of Applied Physics
収録物名
Japanese Journal of Applied Physics. Pt. 2, Letters & express letters
巻(号)
43(6B)
ページ
L777-L779
抄録
An Al2O3 insulated-gate (IG) structure was utilized for controlling the surface potential and suppressing the gate leakage in Al0.2Ga0.8N/GaN heterostructure field effect transistors (HFETs) having thin AlGaN barrier layers (less than 10 nm). In comparison with Schottky-gate devices, the Al2O3 IG device showed successful gate control of drain current up to VGS= +4 V without leakage problems. The threshold voltage in the Al2O3 IG HFET was about -0.3 V, resulting in the quasi-normally-off mode operation.
資源タイプ
学術雑誌論文
出版タイプ
Accepted Manuscript
権利情報
Copyright © 2004 The Japan Society of Applied Physics
PISSN
0021-4922
NCID
AA11906093
関連情報 (isVersionOf)
出版社版DOI
https://doi.org/10.1143/JJAP.43.L777