シリコンMOSダイオードの雑音とその原因に関する研究

前田, 正雄; 村野井, 徹夫

北海道大學工學部研究報告, 1967, 44, 113-137

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/40832

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44_113-138	pdf	1.16 MB	4,190

アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/40832
タイトル	シリコンMOSダイオードの雑音とその原因に関する研究
タイトル	Studies on the Noise of Silicon MOS Diode and Its Origin
著者	著者名前田, 正雄 Maeda, Masao
著者	著者名村野井, 徹夫 Muranoi, Tetsuo
言語	日本語
発行日	1967-09-05
出版者	北海道大学
出版者	Hokkaido University
収録物名	北海道大學工學部研究報告
収録物名	Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University
巻(号)	44
ページ	113-137
資源タイプ	紀要論文
出版タイプ	Version of Record
PISSN	0385-602X
NCID	AN00230223