Ge-Te-Sb非晶質半導体 : 非晶質性と薄膜メモリスイッチング特性

近藤, 静雄; 小川, 吉彦; 黒部, 貞一

北海道大學工學部研究報告, 1975, 77, 69-77

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/41313

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/41313
タイトル	Ge-Te-Sb非晶質半導体 : 非晶質性と薄膜メモリスイッチング特性
タイトル	Ge-Te-Sb Amorphous Semiconductor : Noncrystalline Quality and Memory-type Switching Characteristics of Thin Film
著者	近藤, 静雄 ; 小川, 吉彦 ; 黒部, 貞一
著者名近藤, 静雄 Kondo, Shizuo
著者名小川, 吉彦 Ogawa, Yoshihiko
著者名黒部, 貞一 Kurobe, Teiichi
言語	日本語
発行日	1975-10-04
出版者	北海道大学
出版者	Hokkaido University
収録物名	北海道大學工學部研究報告
収録物名	Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University
巻(号)	77
ページ	69-77
資源タイプ	紀要論文
出版タイプ	Version of Record
PISSN	0385-602X
NCID	AN00230223