薄膜MOSFETの電流-電圧特性におよぼす結晶粒界の影響（一次元数値解析）

大石, 博昭; 小川, 吉彦

北海道大學工學部研究報告, 1985, 127, 49-59

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/41941

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/41941
タイトル	薄膜MOSFETの電流-電圧特性におよぼす結晶粒界の影響（一次元数値解析）
タイトル	Effects of Grain Boundaries on the Current-Voltage Characteristics of Thin Film MOSFET's (One Dimensional Numerical Analysis)
著者	著者名大石, 博昭 Oishi, Hiroaki
著者	著者名小川, 吉彦 Ogawa, Yoshihiko
言語	日本語
発行日	1985-07-31
出版者	北海道大学
出版者	Hokkaido University
収録物名	北海道大學工學部研究報告
収録物名	Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University
巻(号)	127
ページ	49-59
資源タイプ	紀要論文
出版タイプ	Version of Record
PISSN	0385-602X
NCID	AN00230223