半絶縁性GaAs基板の絶縁破壊機構に関する検討

劉, 亜莉; 長谷川, 英機; 大野, 英男

北海道大學工學部研究報告, 1987, 137, 65-71

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/42058

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/42058
タイトル	半絶縁性GaAs基板の絶縁破壊機構に関する検討
タイトル	Investigation of Breakdown Mechanism of Semi-Insulating GaAs
著者	劉, 亜莉 ; 長谷川, 英機 ; 大野, 英男
著者名劉, 亜莉 Liu, Yali
著者名長谷川, 英機 Hasegawa, Hideki
著者名大野, 英男 Ohno, Hideo
言語	日本語
発行日	1987-10-31
出版者	北海道大学
出版者	Hokkaido University
収録物名	北海道大學工學部研究報告
収録物名	Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University
巻(号)	137
ページ	65-71
資源タイプ	紀要論文
出版タイプ	Version of Record
PISSN	0385-602X
NCID	AN00230223