ショットキー電極を用いたIN0.53Ga0.47As金属-半導体-金属フォトダイオード

菊地, 強; 大野, 英男; 長谷川, 英機

北海道大學工學部研究報告, 1988, 141, 113-123

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/42125

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/42125
タイトル	ショットキー電極を用いたIN0.53Ga0.47As金属-半導体-金属フォトダイオード
タイトル	In0.53Ga0.47As Metal-semiconductor-metal Photodiode Using Schottky Contact
著者	菊地, 強 ; 大野, 英男 ; 長谷川, 英機
著者名菊地, 強 Kikuchi, Tsuyoshi
著者名大野, 英男 Ohno, Hideo
著者名長谷川, 英機 Hasegawa, Hideki
言語	日本語
発行日	1988-07-29
出版者	北海道大学
出版者	Hokkaido University
収録物名	北海道大學工學部研究報告
収録物名	Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University
巻(号)	141
ページ	113-123
資源タイプ	紀要論文
出版タイプ	Version of Record
PISSN	0385-602X
NCID	AN00230223