原子層エピタキシ法によるInAs，GaAs薄膜の形成と量子井戸および障壁構造の製作

後藤, 修; 樋口, 恵一; 長谷川, 英機

北海道大學工學部研究報告, 1991, 155, 73-80

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/42278

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155_73-80	pdf	758 KB	1,992

アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/42278
タイトル	原子層エピタキシ法によるInAs，GaAs薄膜の形成と量子井戸および障壁構造の製作
タイトル	Atomic Layer Epitaxy Growth of InAs and GaAs Thin Films and Fabrication of Quantum Wells and Barriers
著者	後藤, 修 ; 樋口, 恵一 ; 長谷川, 英機
著者名後藤, 修 Goto, Shu
著者名樋口, 恵一 Higuchi, Keiichi
著者名長谷川, 英機 Hasegawa, Hideki
言語	日本語
発行日	1991-05-24
出版者	北海道大学
出版者	Hokkaido University
収録物名	北海道大學工學部研究報告
収録物名	Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University
巻(号)	155
ページ	73-80
資源タイプ	紀要論文
出版タイプ	Version of Record
PISSN	0385-602X
NCID	AN00230223