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JSTQE PA for review_1	pdf	12.9 MB	1,798

論文情報

ファイル出力 EndNote Basic出力 Mendeley出力

アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/52939
タイトル	Growth and Optimization of 2-μm InGaSb/AlGaSb Quantum-Well-Based VECSELs on GaAs/AlGaAs DBRs
著者	Ahirwar, Pankaj ; Rotter, Thomas J. ; Shima, Darryl ; Jahan, Nahid A. ; Clark, Stephen P. R. ; Addamane, Sadhvikas J. ; Balakrishnan, Ganesh ; Laurain, Alexandre ; Hader, Jorg ; Lai, Yi-Ying ; Moloney, Jerome V. ; Suemune, Ikuo ; Bedford, Robert G.
著者名 Ahirwar, Pankaj
著者名 Rotter, Thomas J.
著者名 Shima, Darryl
著者名 Jahan, Nahid A.
著者名 Clark, Stephen P. R.
著者名 Addamane, Sadhvikas J.
著者名 Balakrishnan, Ganesh
著者名 Laurain, Alexandre
著者名 Hader, Jorg
著者名 Lai, Yi-Ying
著者名 Moloney, Jerome V.
e-Rad_Researcher 00112178 著者名 Suemune, Ikuo
著者名 Bedford, Robert G.
言語	英語
キーワード	Semiconductor lasers
	quantum-well lasers
	surface-emitting lasers
発行日	2013-01-14
出版者	IEEE
収録物名	IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
巻(号)	19(4)
ページ	1700611
資源タイプ	学術雑誌論文
出版タイプ	Accepted Manuscript
権利情報	© 2013 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including reprinting/republishing this material for advertising or promotional purposes, creating new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works.
PISSN	1077-260X
EISSN	1558-4542
関連情報 (isVersionOf)	出版社版DOI https://doi.org/10.1109/JSTQE.2013.2239615

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