One electron-controlled multiple-valued dynamic random-access-memory

Kye, H. W.; Song, B. N.; Lee, S. E.; Kim, J. S.; Shin, S. J.; Choi, J. B.; Yu, Y. -S.; Takahashi, Y.

One electron-controlled multiple-valued dynamic random-access-memory

Kye, H. W.; Song, B. N.; Lee, S. E. et al.

AIP Advances, 2016, 6(2), 025320-1-025320-5

Permalink : https://hdl.handle.net/2115/61449

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論文情報

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アクセス権	open access
URI	https://hdl.handle.net/2115/61449
タイトル	One electron-controlled multiple-valued dynamic random-access-memory
著者	Kye, H. W. ; Song, B. N. ; Lee, S. E. ; Kim, J. S. ; Shin, S. J. ; Choi, J. B. ; Yu, Y. -S. ; Takahashi, Y.
著者名 Kye, H. W.
著者名 Song, B. N.
著者名 Lee, S. E.
著者名 Kim, J. S.
著者名 Shin, S. J.
著者名 Choi, J. B.
著者名 Yu, Y. -S.
e-Rad_Researcher 90374610 著者名 Takahashi, Y.
言語	英語
キーワード	Capacitors
	Charged currents
	Leakage currents
	MOSFETs
発行日	2016-02
出版者	American Institute of Physics (AIP)
収録物名	AIP Advances
巻(号)	6(2)
ページ	025320-1-025320-5
抄録	We propose a new architecture for a dynamic random-access-memory (DRAM) capable of storing multiple values by using a single-electron transistor (SET). The gate of a SET is designed to be connected to a plurality of DRAM unit cells that are arrayed at intersections of word lines and bitlines. In this SET-DRAM hybrid scheme, the multiple switching characteristics of SET enables multiple value data stored in a DRAM unit cell, and this increases the storage functionality of the device. Moreover, since refreshing data requires only a small amount of SET driving current, this enables device operating with low standby power consumption. (C) 2016 Author(s).
資源タイプ	学術雑誌論文
出版タイプ	Version of Record
権利情報	Creative Commons Attribution 3.0 Unported
PISSN	2158-3226
関連情報 (isIdenticalTo)	出版社版DOI https://doi.org/10.1063/1.4942901