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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
Kenya_Nishiguchi	pdf	4.73 MB	1,324

論文情報

ファイル出力 EndNote Basic出力 Mendeley出力

アクセス権	open access
DOI	https://doi.org/10.14943/doctoral.k13083
URI	https://hdl.handle.net/2115/70528
タイトル	Surface-related operation instabilities of GaN HEMTs and their control using Al2O3-based MOS structures
	GaN HEMTにおける表面起因の動作不安定性とAl2O3 MOS構造による制御
著者	著者名 西口, 賢弥
言語	英語
発行日	2018-03-22
出版者	Hokkaido University
ページ数	98p
学位授与機関	識別子 10101 機関名 北海道大学 Hokkaido University
学位授与年月日	2018-03-22
学位授与番号	甲第13083号
学位名	博士(工学)
学位の審査委員	(主査) 教授 本久 順一, 教授 葛西 誠也, 特任教授 佐野 栄一, 教授 橋詰 保
学位審査の研究科等	情報科学研究科（情報エレクトロニクス専攻）
資源タイプ	博士論文
出版タイプ	Version of Record
関連情報 (isReferencedBy)	HDL https://hdl.handle.net/2115/70526

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