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ファイル	フォーマット	サイズ	閲覧回数	説明
Shota_Kaneki	pdf	12.5 MB	2,944

論文情報

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アクセス権	open access
DOI	https://doi.org/10.14943/doctoral.k14586
URI	https://hdl.handle.net/2115/81293
タイトル	Al2O3/GaN界面の制御とMOSゲート高電子移動度トランジスタへの応用
	Interface Control of Al2O3/GaN Structures for MOS-gate High Electron Mobility Transistors
著者	著者名 金木, 奨太
言語	日本語
発行日	2021-03-25
出版者	Hokkaido University
ページ数	118p
学位授与機関	識別子 10101 機関名 北海道大学 Hokkaido University
学位授与年月日	2021-03-25
学位授与番号	甲第14586号
学位名	博士(工学)
学位の審査委員	(主査) 教授 葛西 誠也, 教授 本久 順一, 准教授 佐藤 威友
学位審査の研究科等	情報科学研究科(情報エレクトロニクス専攻)
資源タイプ	博士論文
出版タイプ	Version of Record
関連情報 (isReferencedBy)	HDL https://hdl.handle.net/2115/81267

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