北海道大学工学部研究報告 = Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University;No.146
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No.146
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分子線エピタキシ法によるGaAsおよびInGaAs選択ドープへテロ構造の形成と2次元電子ガスの特性評価
松崎, 賢一郎;友沢, 秀征;駱, 季奎;大野, 英男;長谷川, 英機
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http://hdl.handle.net/2115/42183
Abstract
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