HUSCAP logo Hokkaido Univ. logo

Hokkaido University Collection of Scholarly and Academic Papers >
工学研究科  >
北海道大学工学部研究報告 = Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University >
No.44 >

シリコンMOSダイオードの雑音とその原因に関する研究

フルテキスト
44_113-138.pdf1.18 MBPDF見る/開く
この文献へのリンクには次のURLを使用してください:http://hdl.handle.net/2115/40832

タイトル: シリコンMOSダイオードの雑音とその原因に関する研究
その他のタイトル: Studies on the Noise of Silicon MOS Diode and Its Origin
著者: 前田, 正雄 著作を一覧する
村野井, 徹夫 著作を一覧する
発行日: 1967年 9月 5日
出版者: 北海道大学 = Hokkaido University
誌名: 北海道大學工學部研究報告 = Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University
巻: 44
開始ページ: 113
終了ページ: 137
資料タイプ: bulletin (article)
URI: http://hdl.handle.net/2115/40832
出現コレクション:No.44

 

本サイトに関するご意見・お問い合わせは repo at lib.hokudai.ac.jp へお願いします。 - 北海道大学