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No.124 >

分子線エピタキシャル法によるGaAs, InAsおよびGa_[x]In_[1-x]AsとGaAs/InAs歪入り超格子の成長

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タイトル: 分子線エピタキシャル法によるGaAs, InAsおよびGa_[x]In_[1-x]AsとGaAs/InAs歪入り超格子の成長
その他のタイトル: Epitaxial Growth of GaAs, InAs, Ga_[x]In_[1-x]As and GaAs/InAs Strained Layer Superlattice by Molecular Beam Epitaxy
著者: 勝見, 隆一 著作を一覧する
大野, 英男 著作を一覧する
高間, 俊彦 著作を一覧する
長谷川, 英機 著作を一覧する
発行日: 1985年 1月31日
出版者: 北海道大学 = Hokkaido University
誌名: 北海道大學工學部研究報告 = Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University
巻: 124
開始ページ: 37
終了ページ: 47
資料タイプ: bulletin (article)
URI: http://hdl.handle.net/2115/41898
出現コレクション:No.124

 

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