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Structural anisotropy in GaN films grown on vicinal 4H-SiC surfaces by metallorganic molecular-beam epitaxy

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タイトル: Structural anisotropy in GaN films grown on vicinal 4H-SiC surfaces by metallorganic molecular-beam epitaxy
著者: Kato, Jun-ichi 著作を一覧する
Tanaka, Satoru 著作を一覧する
Yamada, Satoshi 著作を一覧する
Suemune, Ikuo 著作を一覧する
発行日: 2003年 8月25日
出版者: American Institute of Physics
誌名: Applied Physics Letters
巻: 83
号: 8
開始ページ: 1569
終了ページ: 1571
出版社 DOI: 10.1063/1.1605791
抄録: GaN grown directly on 4H-SiC substrates by metallorganic molecular-beam epitaxy is investigated in terms of nucleation, coalescence, and growth front evolution. The effects of SiC surface configurations such as step and terrace structures on GaN film growth physics are examined in detail. Comparative studies using on-axis and vicinal SiC surfaces indicate distinguishable differences in structural and morphological characteristics. An anisotropic x-ray characteristic is observed for the GaN film deposited on the vicinal stepped SiC surfaces. This is due to preferential nucleation and coalescence of GaN islands along step edges, which are induced by the confinement of adatoms on the narrow terraces on the vicinal SiC surface.
Rights: Copyright © 2003 American Institute of Physics
Relation (URI): http://www.aip.org/
資料タイプ: article
URI: http://hdl.handle.net/2115/5647
出現コレクション:雑誌発表論文等 (Peer-reviewed Journal Articles, etc)

提供者: 田中 悟

 

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