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Improvement of InAs quantum-dot optical properties by strain compensation with GaNAs capping layers

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タイトル: Improvement of InAs quantum-dot optical properties by strain compensation with GaNAs capping layers
著者: Zhang, X. Q 著作を一覧する
Ganapathy, S 著作を一覧する
Suemune, I 著作を一覧する
Kumano, H 著作を一覧する
Uesugi, K 著作を一覧する
発行日: 2003年12月
出版者: American Institute of Physics.
誌名: Applied Physics Letters
巻: 83
号: 22
開始ページ: 4524
終了ページ: 4526
出版社 DOI: 10.1063/1.1629803
抄録: Two kinds of self-assembled InAs quantum dots (QDs) grown on GaAs (001) substrates were studied. One is capped with GaAs layers and the other with GaNAs strain-compensating layers. Photoluminescence (PL) measurements on the two kinds of InAs QDs showed distinct dependence on the selection of the capping layers. The homogeneity and luminescence efficiency of the InAs QDs were much improved when the net strain was reduced with GaNAs layers. These results demonstrate the importance of net strain compensation for the improved optical quality of InAs QDs.
Rights: Copyright © 2003 American Institute of Physics
Relation (URI): http://www.aip.org/
資料タイプ: article
URI: http://hdl.handle.net/2115/5876
出現コレクション:雑誌発表論文等 (Peer-reviewed Journal Articles, etc)

提供者: 末宗 幾夫

 

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