Type | Author(s) | Title | Other Titles | Citation | Citation(alt) | Issue Date |
bulletin (article) | 阿部, 寛 | 半導体におけるFERMI ENERGYとCARRIER CONCENTRATIONの正確な計算法(II) | An Exact Numerical Method for Calculating Fermi Energies and Carrier Concentrations in Semicoductors (II) | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 30-Jul-1993 |
bulletin (article) | 阿部, 寛 | 半導体におけるフェルミエネルギーとキャリア濃度の正確な計算法(I) : 超越方程式数値解の例 | An Exact Numerical Method for Calculating Fermi Energy and Carrier Concentrations in Secoductors : An Example of Transcendental Equation Solver | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 16-Oct-1992 |
bulletin (article) | 松浦, 清隆; 山谷, 和彦; 阿部, 寛 | 110K相Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O系超伝導体の作製と超伝導特性 | Preparation of a Single Phase of Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O System and the Superconducting Properties | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-Oct-1989 |
bulletin (article) | 本間, 工士; 山谷, 和彦; 阿部, 寛 | Bi-Sr-Ca-Cu-O系超伝導体の作製と構造 | Superconductivity and Crystal Structure in high-Tc Bi-Sr-Ca-Cu Oxides | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 27-Dec-1988 |
bulletin (article) | 芳賀, 哲也; 鈴木, 仁; ラシッド, M.H; 田中, 明和; 阿部, 寛 | イオンチャネリング法によるCdTe単結晶の極性判定及びCdTeにドープされたZn原子の格子位置決定 | Identification of Crystallographic Polarity in CdTe and Determination of Specific Lattice Locations of Zn Doped in CdTe by Means of Ion-Channeling Methods | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 20-Feb-1988 |
bulletin (article) | 瀬戸, 悟; 山谷, 和彦; 阿部, 寛; 丹呉, 浩侑 | SOSボロメーターの製作とその特性 | Silicon on Sapphire Bolometer and its Resistance vs Temperature Characteristics | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 31-May-1985 |
bulletin (article) | 芳賀, 哲也; 鳥海, 郁夫; 塩尺, 常晴; 阿部, 寛 | シリコン<111>軸チャンネリングにおけるプロトンのエネルギー損失に関する実験 | Experiments on the Energy-loss of Proton under Channeling along the <111> axis in Silicons | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 3-Feb-1978 |
bulletin (article) | 今井, 和明; 長谷川, 好道; 阿部, 寛 | 層状半導体InSeの結晶成長とその電気的及び光学的性質 | The Crystal Glowth of Layered Semiconductor InSe and its Electrical and Optical Properties | 北海道大學工學部研究報告 | Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University | 3-Feb-1978 |