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Highly spin-polarized tunneling in fully epitaxial Co2Cr0.6Fe0.4Al/MgO/Co50Fe50 magnetic tunnel junctions with exchange biasing

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タイトル: Highly spin-polarized tunneling in fully epitaxial Co2Cr0.6Fe0.4Al/MgO/Co50Fe50 magnetic tunnel junctions with exchange biasing
著者: Marukame, Takao 著作を一覧する
Ishikawa, Takayuki 著作を一覧する
Hakamata, Shinya 著作を一覧する
Matsuda, Ken-ichi 著作を一覧する
Uemura, Tetsuya 著作を一覧する
Yamamoto, Masafumi 著作を一覧する
発行日: 2007年 1月 1日
出版者: American Institute of Physics
誌名: Applied Physics Letters
巻: 90
号: 1
開始ページ: 012508
出版社 DOI: 10.1063/1.2428412
抄録: Fully epitaxial magnetic tunnel junctions (MTJs) with exchange biasing were fabricated with a full-Heusler alloy Co2Cr0.6Fe0.4Al (CCFA) thin film and a MgO tunnel barrier, where a Co50Fe50 upper electrode was used in a synthetic ferrimagnetic Co50Fe50/Ru/Co90Fe10 trilayer exchange-biased with an IrMn layer through the Co90Fe10/IrMn interface. The fabricated MTJs exhibited clear exchange-biased tunnel magnetoresistance (TMR) characteristics with high TMR ratios of 109% at room temperature and 317% at 4.2 K. A high tunneling spin polarization of 0.88 at 4.2 K was estimated for epitaxial CCFA films with the B2 structure. ©2007 American Institute of Physics
Rights: Copyright © 2007 American Institute of Physics
資料タイプ: article
URI: http://hdl.handle.net/2115/17219
出現コレクション:雑誌発表論文等 (Peer-reviewed Journal Articles, etc)

提供者: 山本 眞史

 

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