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No.117 >

SiO2光導波路とGaAs受光素子の分布結合方式における光結合長の解析 : 光・電子集積回路におけるO/E変換部の検討

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タイトル: SiO2光導波路とGaAs受光素子の分布結合方式における光結合長の解析 : 光・電子集積回路におけるO/E変換部の検討
その他のタイトル: Analysis of Coupling Length for Distributed Coupling between SiO2 optical waveguides and GaAs photodetectors : A Study of O/E Interface in Optoelectronic Integrated Circuits
著者: 松尾, 望 著作を一覧する
大野, 英男 著作を一覧する
長谷川, 英機 著作を一覧する
発行日: 1984年 1月31日
出版者: 北海道大学 = Hokkaido University
誌名: 北海道大學工學部研究報告 = Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University
巻: 117
開始ページ: 39
終了ページ: 48
資料タイプ: bulletin (article)
URI: http://hdl.handle.net/2115/41829
出現コレクション:No.117

 

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