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Thermogravimetric analysis and microstructural observations on the formation of GaN from the reaction between Ga2O3 and NH3

フルテキスト
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タイトル: Thermogravimetric analysis and microstructural observations on the formation of GaN from the reaction between Ga2O3 and NH3
著者: Kiyono, Hajime 著作を一覧する
Sakai, Toshiki 著作を一覧する
Takahashi, Mari 著作を一覧する
Shimada, Shiro 著作を一覧する
キーワード: Growth models
Growth from vapor
Nitrides
発行日: 2010年 9月15日
出版者: Elsevier B.V.
誌名: Journal of Crystal Growth
巻: 312
号: 19
開始ページ: 2823
終了ページ: 2827
出版社 DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.06.021
抄録: Thermogravimetric analysis (TGA) and microstructural observations were carried to investigate the nitridation mechanism of β-Ga2O3 powder to GaN under an NH3/Ar atmosphere. Non-isothermal TGA showed that nitridation of β-Ga2O3 starts at ∼650℃, followed by decomposition of GaN at ∼1100℃. Isothermal TGA showed that nitridation follows linear kinetics in the temperature range 800-1000℃. At an early stage of nitridation, small GaN particles (∼5 nm) are deposited on the β-Ga2O3 crystal surface, and they increase with time. We proposed a mechanism for the nitridation of Ga2O3 by NH3 whereby nitridation of β-Ga2O3 proceeds via the intermediate vapor species Ga2O(g).
資料タイプ: article (author version)
URI: http://hdl.handle.net/2115/44033
出現コレクション:雑誌発表論文等 (Peer-reviewed Journal Articles, etc)

提供者: 清野 肇

 

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