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Nanoscale phase changes in crystalline Ge2Sb2Te5 films using scanning probe microscopes

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タイトル: Nanoscale phase changes in crystalline Ge2Sb2Te5 films using scanning probe microscopes
著者: Satoh, H. 著作を一覧する
Sugawara, K. 著作を一覧する
Tanaka, K. 著作を一覧する
発行日: 2006年 1月15日
出版者: American Institute of Physics
誌名: Journal of Applied Physics
巻: 99
開始ページ: 024306
出版社 DOI: 10.1063/1.2163010
抄録: Nanoscale amorphous marks have been produced in crystalline Ge2Sb2Te5 films using an atomic-force microscope (AFM) and a scanning-tunneling microscope (STM) through electrical phase changes. Voltage pulses with duration of 5–100 ns applied by metal probes of the AFM and the STM can produce, respectively, high-resistance regions and deformations, the smallest sizes being ~10 and ~100 nm in diameter. Raman-scattering spectra demonstrate that these marks are amorphous. The AFM mark can be erased by applying longer pulses. Formation processes of the marks are considered from electrothermal and thermodynamic aspects.
Rights: Copyright © 2006 American Institute of Physics
Relation (URI): http://www.aip.org/
資料タイプ: article
URI: http://hdl.handle.net/2115/5420
出現コレクション:雑誌発表論文等 (Peer-reviewed Journal Articles, etc)

提供者: 田中 啓司

 

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