HUSCAP logo Hokkaido Univ. logo

Hokkaido University Collection of Scholarly and Academic Papers >
工学研究科  >
雑誌発表論文等  >

Surface flatness of polycrystalline copper after argon ion etching followed by annealing

フルテキスト
JVSTB22-6.pdf149.89 kBPDF見る/開く
この文献へのリンクには次のURLを使用してください:http://hdl.handle.net/2115/5710

タイトル: Surface flatness of polycrystalline copper after argon ion etching followed by annealing
著者: Hino, T. 著作を一覧する
Taguchi, T. 著作を一覧する
Yamauchi, Y. 著作を一覧する
Hirohata, Y. 著作を一覧する
Nishikawa, M. 著作を一覧する
発行日: 2004年11月 4日
出版者: AVS Science & Technology of Materials Interfaces, and Processing
誌名: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures
巻: 22
号: 6
開始ページ: 2632
終了ページ: 2634
出版社 DOI: 10.1116/1.1814110
抄録: Oblique injection of argon ions with energy of 1 keV was conducted for etching of polycrystalline copper. The surface became rough owing to the formation of blisters. The average diameter and height of blisters was approximately 150 and 20–30 nm, respectively. The polycrystalline copper irradiated by argon ions was annealed to rupture the blisters. The retained argon desorbed in the temperature range from 500 to 800 K. The height of blisters significantly reduced to 10–15 nm although the diameter and surface density of blisters roughly remained the same.
資料タイプ: article (author version)
URI: http://hdl.handle.net/2115/5710
出現コレクション:雑誌発表論文等 (Peer-reviewed Journal Articles, etc)

提供者: 日野 友明

 

本サイトに関するご意見・お問い合わせは repo at lib.hokudai.ac.jp へお願いします。 - 北海道大学