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Ultrafast carrier diffusion in gallium arsenide probed with picosecond acoustic pulses

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タイトル: Ultrafast carrier diffusion in gallium arsenide probed with picosecond acoustic pulses
著者: Wright, O. B. 著作を一覧する
Perrin, B. 著作を一覧する
Matsuda, O. 著作を一覧する
Gusev, V. E. 著作を一覧する
発行日: 2001年
出版者: American Physical Society
誌名: PHYSICAL REVIEW B
巻: 64
開始ページ: 081202(R)
出版社 DOI: 10.1103/PhysRevB.64.081202
抄録: We describe an experimental investigation of the generation and detection of picosecond acoustic-phonon pulses in a thin slab of GaAs using ultrashort optical pulses. Comparison of the optical phase variation with a simple theory for ambipolar diffusion indicates that carrier diffusion has a significant effect on the shape of the phonon pulses generated. The phonon pulse duration is measured to be ;25 ps, four times longer than that expected from optical-absorption considerations alone, indicating that hot carriers penetrate more than 100 nm into the sample during the phonon pulse generation process.
Rights: Copyright © 2001 American Physical Society
Relation (URI): http://www.aps.org/
資料タイプ: article
URI: http://hdl.handle.net/2115/5797
出現コレクション:雑誌発表論文等 (Peer-reviewed Journal Articles, etc)

提供者: WRIGHT O. B.

 

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