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Interfacial electron transfer as a significant step in photoelectrochemical reactions on some semiconductors

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タイトル: Interfacial electron transfer as a significant step in photoelectrochemical reactions on some semiconductors
著者: Bockris, J. O'M. 著作を一覧する
Uosaki, K. 著作を一覧する
Kita, H. 著作を一覧する
発行日: 1981年 2月
出版者: American Institute of Physics
誌名: Journal of Applied Physics
巻: 52
号: 2
開始ページ: 808
終了ページ: 810
出版社 DOI: 10.1063/1.328847
抄録: Photoelectrochemical kinetics at the semiconductor-solution interface has been considered in all treatments in the literature, except one, to be rate controlled by processes inside the semiconductor. Evidence is presented which suggest that, at least for cathodic reactions on p-CdTe, the rate determining step is interfacial electron transfer, and a part of the total potential difference at the interface exists in the Helmholtz layer. Journal of Applied Physics is copyrighted by The American Institute of Physics.
Rights: Copyright © 1981 American Institute of Physics
Relation (URI): http://www.aip.org/
資料タイプ: article
URI: http://hdl.handle.net/2115/6127
出現コレクション:雑誌発表論文等 (Peer-reviewed Journal Articles, etc)

提供者: 魚崎 浩平

 

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