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Composition controllability of InGaAs nanowire arrays in selective area growth with controlled pitches on Si platform

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タイトル: Composition controllability of InGaAs nanowire arrays in selective area growth with controlled pitches on Si platform
著者: Chiba, Kohei 著作を一覧する
Tomioka, Katsuhiro 著作を一覧する
Yoshida, Akinobu 著作を一覧する
Motohisa, Junichi 著作を一覧する
発行日: 2017年12月
出版者: American Institute of Physics (AIP)
誌名: AIP Advances
巻: 7
号: 12
開始ページ: 125304
出版社 DOI: 10.1063/1.4993689
抄録: Composition controllability of vertical InGaAs nanowires (NWs) on Si integrated by selective area growth was characterized for Si photonics in the optical telecommunication bands. The pitch of pre-patterned holes (NW sites) changed to an In/Ga alloy-composition in the solid phase during the NW growth. The In composition with a nanometer-scaled pitch differed completely from that with a mu m-scaled pitch. Accordingly, the growth morphologies of InGaAs NWs show different behavior with respect to the In/Ga ratio. (c) 2017 Author(s).
Rights: https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
資料タイプ: article
URI: http://hdl.handle.net/2115/68223
出現コレクション:雑誌発表論文等 (Peer-reviewed Journal Articles, etc)

提供者: 本久 順一

 

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