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SIMSによる金属中の軽元素分析
Title: | SIMSによる金属中の軽元素分析 |
Other Titles: | SIMS Analysis of Light Elements in the Metals |
Authors: | 竹下, 博之1 Browse this author | 鈴木, 亮輔2 Browse this author →KAKEN DB | 小野, 勝敏3 Browse this author |
Authors(alt): | Takeshita, Hiroyuki T.1 | Suzuki, Ryosuke O.2 | Ono, Katsutoshi3 |
Keywords: | secondary ion mass spectrometry | quantitative analysis | detection limit | trace element | titanium | copper | oxygen | sulfur | mass spectrum |
Issue Date: | 20-Apr-1994 |
Publisher: | 日本金属学会 |
Journal Title: | まてりあ |
Journal Title(alt): | Materia Japan |
Volume: | 33 |
Issue: | 4 |
Start Page: | 356 |
End Page: | 361 |
Publisher DOI: | 10.2320/materia.33.356 |
Abstract: | SIMSは3.2x10-15J(約20keV)までのエネルギーを持ったイオン(一次イオン)を固体表面に照射し、スパッタリングによって固体表面から放出されるイオン(二次イオン)を質量分析計で検出する。その機能は、電子ビームを照射して試料からのX線を検出するX線マイクロアナライザーと似ている。しかし、SIMSは、電子ビームのかわりにイオンビームを、X線検出器のかわりに質量分析計を用いているため、以下のような特徴がある。 (1) 水素からウランまでの全元素を分析できる。特に、SIMSは水素分析が可能な唯一の局所分析技法である。 (2) 局所分析技法としては最も高感度であり、装置の検出感度かるするとほとんどすべての元素をppm~ppbのオーダーまで分析できる。 (3) 表面の元素分析が可能であるばかりでなく、スパッタリングを利用して表面からの深さ方向の分析ができる。さらに、両者を組合せて3次元的な元素分布を調べることが可能である。 (4) 同位体の濃度分析や分布の測定が可能である。 上述の特徴により、SIMSは他の分析技法では検出困難な各種材料中の微量不純物の局所分析あるいは特定元素の深さ方向の濃度分布の測定に応用されている。本稿では、SIMSによる金属中の微量不純物分析の現状と分析限界について述べる。 |
Type: | article |
URI: | http://hdl.handle.net/2115/74873 |
Appears in Collections: | 工学院・工学研究院 (Graduate School of Engineering / Faculty of Engineering) > 雑誌発表論文等 (Peer-reviewed Journal Articles, etc)
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Submitter: 鈴木 亮輔
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