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次世代ひずみSi-SGOIウエーハの微細組織観察

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materia 44(12) 971.pdf1.19 MBPDFView/Open
Please use this identifier to cite or link to this item:http://hdl.handle.net/2115/75580

Title: 次世代ひずみSi-SGOIウエーハの微細組織観察
Other Titles: Microstructural Observation of Next-Generation Strained Si-SGOI Wafer
Authors: 水口, 隆1 Browse this author
井, 誠一郎2 Browse this author
中島, 寛3 Browse this author
池田, 賢一4 Browse this author
中島, 英治5 Browse this author
二宮, 正晴6 Browse this author
中前, 正彦7 Browse this author
Authors(alt): Mizuguchi, Takashi1
Ii, Seiichiro2
Nakashima, Hiroshi3
Ikeda, Ken-ichi4
Nakashima, Hideharu5
Ninomiya, Masaharu6
Nakamae, Masahiko7
Keywords: strained silicon
dislocation
hetero interface
transmission electron microscopy
high resolution transmission electron microscopy
Issue Date: 20-Dec-2005
Publisher: 日本金属学会
Journal Title: まてりあ
Journal Title(alt): Materia Japan
Volume: 44
Issue: 12
Start Page: 971
End Page: 971
Publisher DOI: 10.2320/materia.44.971
Abstract: 微細化に替わる新しい半導体デバイス高性能化の手法として、Si-Ge固溶体(SiGe)上にSiを完全整合状態で積層することによりSiのバンド構造を制御して電子の高速移動を可能にするひずみシリコン技術が注目されている。しかし、SiとSiGeの格子定数差によって発生する応力を緩和するために導入される転位が電子の高速移動の障害となっており、転位密度の低減が必要である。一方、半導体デバイスの省電力化のためにはリーク電流の低減化が必要であり、SiO2とその上部に成長させた薄膜との界面は原子レベルで平坦であることが望まれている。本研究では、Fig.1に示す構造をもつウエーハについて転位構造とヘテロ界面構造を明らかにすることを目的として、透過型電子顕微鏡による平面と断面観察を行った。
Type: article
URI: http://hdl.handle.net/2115/75580
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Submitter: 池田 賢一

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