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次世代ひずみSi-SGOIウエーハの微細組織観察
| Title: | 次世代ひずみSi-SGOIウエーハの微細組織観察 |
| Other Titles: | Microstructural Observation of Next-Generation Strained Si-SGOI Wafer |
| Authors: | 水口, 隆1 Browse this author | | 井, 誠一郎2 Browse this author | | 中島, 寛3 Browse this author | | 池田, 賢一4 Browse this author | | 中島, 英治5 Browse this author | | 二宮, 正晴6 Browse this author | | 中前, 正彦7 Browse this author |
| Authors(alt): | Mizuguchi, Takashi1 | | Ii, Seiichiro2 | | Nakashima, Hiroshi3 | | Ikeda, Ken-ichi4 | | Nakashima, Hideharu5 | | Ninomiya, Masaharu6 | | Nakamae, Masahiko7 |
| Keywords: | strained silicon | | dislocation | | hetero interface | | transmission electron microscopy | | high resolution transmission electron microscopy |
| Issue Date: | 20-Dec-2005 |
| Publisher: | 日本金属学会 |
| Journal Title: | まてりあ |
| Journal Title(alt): | Materia Japan |
| Volume: | 44 |
| Issue: | 12 |
| Start Page: | 971 |
| End Page: | 971 |
| Publisher DOI: | 10.2320/materia.44.971 |
| Abstract: | 微細化に替わる新しい半導体デバイス高性能化の手法として、Si-Ge固溶体(SiGe)上にSiを完全整合状態で積層することによりSiのバンド構造を制御して電子の高速移動を可能にするひずみシリコン技術が注目されている。しかし、SiとSiGeの格子定数差によって発生する応力を緩和するために導入される転位が電子の高速移動の障害となっており、転位密度の低減が必要である。一方、半導体デバイスの省電力化のためにはリーク電流の低減化が必要であり、SiO2とその上部に成長させた薄膜との界面は原子レベルで平坦であることが望まれている。本研究では、Fig.1に示す構造をもつウエーハについて転位構造とヘテロ界面構造を明らかにすることを目的として、透過型電子顕微鏡による平面と断面観察を行った。 |
| Type: | article |
| URI: | http://hdl.handle.net/2115/75580 |
| Appears in Collections: | 工学院・工学研究院 (Graduate School of Engineering / Faculty of Engineering) > 雑誌発表論文等 (Peer-reviewed Journal Articles, etc)
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Submitter: 池田 賢一
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