イオン注入を利用した対応粒界原子構造制御

坂口, 紀史; 渡辺, 精一; 木下, 博嗣; 市野瀬, 英喜

doi:10.2320/materia.47.638


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イオン注入を利用した対応粒界原子構造制御

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Materia v. 47(12) 638.pdf

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Please use this identifier to cite or link to this item:http://hdl.handle.net/2115/76946

Title:	イオン注入を利用した対応粒界原子構造制御
Other Titles:	Fabrication of Quantum Structure Utilizing CSL Boundary by Ion Implantation
Authors:	坂口, 紀史¹ Browse this author →KAKEN DB
	渡辺, 精一² Browse this author →KAKEN DB
	木下, 博嗣³ Browse this author
	市野瀬, 英喜⁴ Browse this author
Authors(alt):	Sakaguchi, Norihito¹
	Watanabe, Seiichi²
	Kinoshita, Hiroshi³
	Ichinose, Hideki⁴
Keywords:	Si
	tungsten implantation
	coincidence-site lattice (CSL) boundary
Issue Date:	1-Dec-2008
Publisher:	日本金属学会
Journal Title:	まてりあ
Journal Title(alt):	Materia Japan
Volume:	47
Issue:	12
Start Page:	638
End Page:	638
Publisher DOI:	10.2320/materia.47.638
Abstract:	現在、新しい概念に基づく素子の開発にあたり、ナノメートル程度の極微小な大きさを持ち、かつそれらが周期的に配列した「量子構造」作製技術の開発が切望されている。他方、Si等の共有結合性結晶で頻繫に見られる対応粒界は特徴的な構造ユニットをもつことから、不純物元素を構造ユニット内の特定サイトに置換させることで、対応粒界の周期性を反映した量子構造が形成されると考えられる。本研究ではイオン注入法を利用し、共有結合性結晶の対応粒界原子構造制御の可能性について検討した。
Type:	article
URI:	http://hdl.handle.net/2115/76946
Appears in Collections:	工学院・工学研究院 (Graduate School of Engineering / Faculty of Engineering) > 雑誌発表論文等 (Peer-reviewed Journal Articles, etc)

Submitter: 坂口紀史

OAI-PMH ( junii2 , jpcoar_1.0 )

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