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Effect of near-threshold ionization on electron attachment in gaseous dielectrics

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タイトル: Effect of near-threshold ionization on electron attachment in gaseous dielectrics
著者: Sugawara, Hirotake 著作を一覧する
Ishigaki, Takuya 著作を一覧する
Hirochi, Yuuki 著作を一覧する
Sakai, Yosuke 著作を一覧する
キーワード: gaseous dielectric
electron attachment
electron avalanche
sulfur hexafluoride
発行日: 2004年11月10日
出版者: 物理系学術誌刊行協会出版 (The Institute of Pure and Applied Physics)
誌名: Japanese Journal of Applied Physics
巻: 43
号: 11A
開始ページ: 7705
終了ページ: 7706
出版社 DOI: 10.1143/JJAP.43.7705
抄録: It has been predicted that near-threshold ionization (NTI) in a gaseous dielectric inhibits the development of electron avalanche when the gaseous dielectric has a sufficient capability for low-energy electron attachment. The NTI leaves little energy for the primary and secondary electrons involved in the ionization; thus, both electrons can be captured by dielectric gas molecules without further ionization. A computational estimation indicates that this process can occur in SF6.
Relation (URI):
資料タイプ: article (author version)
出現コレクション:雑誌発表論文等 (Peer-reviewed Journal Articles, etc)

提供者: 菅原 広剛


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