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Gate-controlled electron g factor in an InAs-inserted-channel In 0.53Ga 0.47As/In 0.52Al 0.48As heterostructure

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APL83-22.pdf299.6 kBPDF見る/開く
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タイトル: Gate-controlled electron g factor in an InAs-inserted-channel In 0.53Ga 0.47As/In 0.52Al 0.48As heterostructure
著者: Nitta, Junsaku 著作を一覧する
Lin, Yiping 著作を一覧する
Akazaki, Tatsushi 著作を一覧する
Koga, Takaaki 著作を一覧する
発行日: 2003年
出版者: American Institute of Physics
誌名: Applied Physics Letters
巻: 83
号: 22
開始ページ: 4565
終了ページ: 4567
出版社 DOI: 10.1063/1.1631082
抄録: The electron g factor in an InAs-inserted-channel In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As heterostructure is studied by measuring the angle dependence of magnetotransport properties. The gate voltage dependence of the g factor is obtained from the coincidence method. The g-factor values are surprisingly smaller than the g-factor value of bulk InAs, and close to the bare g-factor value of In0.53Ga0.47As. A large change in the g factor is observed by applying the gate voltage. The gate voltage dependence is not simply explained by the energy dependence of the g factor. ©2003 American Institute of Physics.
Rights: Copyright © 2003 American Institute of Physics
Relation (URI): http://apl.aip.org/apl/top.jsp
資料タイプ: article
URI: http://hdl.handle.net/2115/14675
出現コレクション:雑誌発表論文等 (Peer-reviewed Journal Articles, etc)

提供者: 古賀 貴亮

 

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