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Vanishing of inhomogeneous spin relaxation in InAs-based field-effect transistor structures

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タイトル: Vanishing of inhomogeneous spin relaxation in InAs-based field-effect transistor structures
著者: Ohno, Munekazu 著作を一覧する
Yoh, Kanji 著作を一覧する
発行日: 2007年 6月15日
出版者: American Physical Society
誌名: Physical Review B
巻: 75
号: 24
開始ページ: 241308
出版社 DOI: 10.1103/PhysRevB.75.241308
抄録: The D'yakonov-Perel' spin relaxation process in the (001) InAs quantum well system is studied based on Monte Carlo (MC) simulation. The present space-resolved MC analysis demonstrates that the relaxation of spins oriented in any axes is totally suppressed with equal strength of Rashba and Dresselhaus effects, which is in marked contrast with the spin relaxation anisotropy reported previously in time-resolved analyses. Our calculation also shows a substantial contribution of the cubic term of the wave number vector in the Dresselhaus model onto the spatial spin distribution.
Rights: Copyright © 2007 American Physical Society
Relation (URI): http://www.aps.org/
資料タイプ: article
URI: http://hdl.handle.net/2115/25418
出現コレクション:雑誌発表論文等 (Peer-reviewed Journal Articles, etc)

提供者: 陽 完治

 

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