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Reduced interface reaction during the epitaxial Fe growth on InAs for high efficiency spin injection

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タイトル: Reduced interface reaction during the epitaxial Fe growth on InAs for high efficiency spin injection
著者: Yoh, Kanji 著作を一覧する
Ohno, Hiroshi 著作を一覧する
Sueoka, Kazuhisa 著作を一覧する
Ramsteiner, Manfred E. 著作を一覧する
発行日: 2004年 5月
出版者: American Vacuum Society
誌名: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures
巻: 22
号: 3
開始ページ: 1432
終了ページ: 1435
出版社 DOI: 10.1116/1.1755711
抄録: We have investigated Fe/InAs interfaces for two different growth temperatures of Fe and the effect on the spin injection properties through an Fe/InAs junction. Secondary ion mass spectroscopy and transmission electron microscopy studies of the Fe/InAs interfaces revealed that Fe films grown at 175 °C clearly suffer from increased reaction and out-diffusion of semiconductor constituents compared to those grown at 23 °C. The lower temperature samples showed an increased degree of spin polarization of 18%–20% which translates to 36%–40% of spin injection efficiency assuming selection rules between heavy and light holes in the p-type InAs substrate. It is close to the spin polarization of 40%–45% in an Fe spin injector itself. ©2004 American Vacuum Society.
Rights: ©2004 American Vacuum Society
資料タイプ: article
URI: http://hdl.handle.net/2115/28637
出現コレクション:雑誌発表論文等 (Peer-reviewed Journal Articles, etc)

提供者: 陽 完治

 

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