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No.127 >

等温過渡容量法 (ICTS) によるアモルファスSi MIS構造の評価

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タイトル: 等温過渡容量法 (ICTS) によるアモルファスSi MIS構造の評価
その他のタイトル: Characterization of Interface Properties in an Amorphous Silicon Metal Insulator Semiconductor Structure by Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy
著者: 有本, 智 著作を一覧する
金澤, 裕 著作を一覧する
原, 毅彦 著作を一覧する
大野, 英男 著作を一覧する
長谷川, 英機 著作を一覧する
発行日: 1985年 7月31日
出版者: 北海道大学 = Hokkaido University
誌名: 北海道大學工學部研究報告 = Bulletin of the Faculty of Engineering, Hokkaido University
巻: 127
開始ページ: 27
終了ページ: 37
資料タイプ: bulletin (article)
URI: http://hdl.handle.net/2115/41944
出現コレクション:No.127

 

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